肖特基，贴片，直插，SMA,SMAF
肖特基二极管与普通二极管的区别：
硅管的初始导通压降是0.5v左右，正常导通压降是0.7v左右，在接近极限电流情况下导通压降是1v左右；
锗管的初始导通压降是0.2v左右，正常导通压降是0.3v左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4v左右，
肖特基二极管的初始导通压降是0.4v左右，正常导通压降是0.5v左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8v左右。
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用pn结型结构，有的采用改进的pin结构。其高于普通二极管(1-2v)，反向耐压多在1200v以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(schottky barrier diode)，具有低(0.4--0.5v)、很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150v，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
产品种类肖特基二极管与整流器
rohs是
产品schottky rectifiers
峰值反向电压40 v
正向连续电流1 a
最大浪涌电流40 a
配置single
正向电压下降0.5 v
最大反向漏泄电流200 ua
工作温度范围- 65 c to + 125 c
安装风格smd/smt
封装形式sma (do-214ac)
包装形式reel
工厂包装数量7500
零件号别名ss14_nl
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锗管的初始导通压降是0.2v左右，正常导通压降是0.3v左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4v左右，
肖特基二极管的初始导通压降是0.4v左右，正常导通压降是0.5v左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8v左右。
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用pn结型结构，有的采用改进的pin结构。其高于普通二极管(1-2v)，反向耐压多在1200v以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(schottky barrier diode)，具有低(0.4--0.5v)、很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150v，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
产品种类肖特基二极管与整流器
rohs是
产品schottky rectifiers
峰值反向电压40 v
正向连续电流1 a
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配置single
正向电压下降0.5 v
最大反向漏泄电流200 ua
工作温度范围- 65 c to + 125 c
安装风格smd/smt
封装形式sma (do-214ac)
包装形式reel
工厂包装数量7500
零件号别名ss14_nl
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