055 硅烷交联低回缩聚乙烯塑料及其制备方法和应用
[摘要] 本技术提供了硅烷交联低回缩聚乙烯塑料及其制备方法和应用。组分包括:线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、乙烯共聚树脂、硅烷交联剂、过氧化物交联剂、加工助剂、抗氧剂、金属钝化剂和催化剂。本技术完善了硅烷交联聚乙烯绝缘塑料的品种,很大程度上提高了硅烷交联聚乙烯绝缘电缆的绝缘收缩性能,特
059 高参数锅炉专用热态洗硅成膜剂
[摘要] 本技术提供了一种用于高参数锅炉的专用热态洗硅成膜剂,包括a剂和b剂,a剂包含强碱性催化剂5%~35%、无机溶剂65%~95%,显色剂量,原料总和为100%;b剂包含分析纯磷酸三钠0.3%~3%、分析纯联氨0.05%~2%,余量为无机溶剂,其原料总和为100%;使用时由a剂和b剂按照体积比1∶10的比例混合使用,混合后溶液比重为1.008g
038 非晶硅薄膜光伏模块的分流缺陷的钝化方法
[摘要] 本技术为包含较薄的i层的p-i-n型大面积基于氢化非晶硅薄膜的光伏模块提供了一种抑制分流缺陷的方法。基于非晶硅合金的具有宽带隙、高电阻的薄膜被置于活跃光伏层和导电的背电极之间,对电流的渗漏起屏障的作用。这种透光性强的分流屏障材料,是一种虚拟薄膜或者说是“死层”,它不直接参与光电能量。分流钝化薄膜可以像非晶硅光伏器件大批量制造一样,在等离子体增强化学气相沉积设备中实现简单快速的生产。本技术尤其有助于提高光伏建筑一体化中应用的型或部分透明的薄膜硅光伏模块的
011 非晶态硅碳氢钝化工艺
[摘要] 用辉光放电的方法,制备出非晶态硅碳氢膜,并应用于半导体器件表面钝化。这种钝化工艺
077 硅太阳能电池减反射薄膜
[摘要] 本技术提供了一种用于太阳能电池的硅太阳能电池减反射薄膜,该薄膜在硅片正表面沉积有富硅的氮化硅薄膜,在富硅氮化硅薄膜上面沉积有接近理想配比的氮化硅薄膜。靠近硅片表面的氮化硅薄膜含量高,表面钝化效果优于接近理想配比氮化硅薄膜,表面复合速度比正常配比氮化硅薄膜低一倍以上。富硅的氮化硅薄膜较薄,光吸收损失较少,仅吸收20%~30%波长在300纳米左右的短波光,对中长波光几乎没有吸收。其余氮化硅薄膜组分接近理想化学配比,几乎没有光吸收损失。采用多层或渐变折射率的氮化硅薄膜以后,比单一折射率(折射率为1.9~2.1)的氮化硅表面光反射减少2%~
049 室温硅烷交联聚乙烯塑料及其制备方法
052 在用于量子计算机的硅晶体中的替代的施主原子
013 复合层低硅球化剂
026 一种无取向硅钢用脱硫剂
062 硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法
106 一种单晶硅片制绒的方法
056 一种硅烷化云母基底及其在蛋白质晶体生长中的应用
018 发光的铁钝化多孔硅的水热制备方法
009 全切面结玻璃钝化的硅半导体二极管芯片及其制造方法
010 硅平面型功率晶体管管芯制造方法
007 硅光电钝化方法
016 硅导电玻璃介质生物芯片及其制备方法
081 硅整流器件的电泳法玻璃钝化工艺
001 改善玻璃钝化硅器件高温反向特性的钝化玻璃涂敷液
103 一种p、n纸源同一扩散过程制造硅二极管pn结的方法
042 平面型硅抗电涌器件
086 极环绕型背触点硅太阳能电池的触点制备
084 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
024 具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法
095 纳米硅变容二极管及其加工方法
107 硅光电
093 分立的含硅衬底及器件的低温制造
108 纳米硅超高速开关管
092 一种制造高效硅太阳能电池片的方法
105 一种具有多孔硅背反射层的晶体硅太阳电池
045 一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺
017 用含硅化合物改性的沸石催化剂合成三亚乙基二胺和哌嗪
100 一种基于纳米压印技术制备晶硅太阳电池局域背接触的方法
030 在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法及设备
094 电子器件钝化封装改性锌硼硅铅系玻璃粉的制备和应用
002 射频台式硅二极管玻璃钝化制备方法
022 碳化硅半导体结构上的层叠电介质
036 磁导率μ=26的铁硅铝磁粉芯的制造方法
012 低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
085 硅系陶瓷高效磨削液
063 薄硅晶片上的体绕通背面接触太阳能电池
101 复合型半导体硅器件钝化膜及钝化工艺
029 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法
040 提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法
110 在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备
025 彩色耐候性能的硅烷交联聚乙烯塑料及其应用
048 非晶硅薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
023 采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法
051 软磁铁硅铝合金粉芯的制造方法
096 一种等离子增强的感应蒸发硅薄膜沉积方法
087 perl(passivated
emitter rear locally
diffused)型硅基发光管
061 碳化硅半导体器件
089 基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法
082 碳化硅陶瓷液相烧结预混造粒粉料的制备方法
020 半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
079 一种硅酸盐清洁钝化液制备工艺
039 一种能实现紫外光响应的硅器件
074 辐射敏感的有机硅树脂组合物
033 晶体硅太阳能电池
083 n型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法
104 一种硅双向触发二极管的制造方法
043 硅光电检测器
071 突起的硅光电二极管
064 通过使用双有机硅氧烷前体制备低介电常数膜的方法
078 硅整流器件的刮法玻璃钝化工艺
046 一种将cmos电路与体硅m单片集成的方法
037 丙烯酸-2-羟基丙酯硅胶聚合物键合相、制备方法及其应用
014 一种生产硅太阳电池的方法及相关的设备
054 基于丝网印刷工艺的背面点接触硅太阳电池及其制造方法
021 多晶硅电阻器及其制造方法
032 一种快恢复硅整流二极管芯片的制造方法
066 电磁激励高阶模态硅机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用
041 一种碳化硅(sic)二极管温度传感器
034 磁导率μ=125的铁硅铝磁粉芯的制造方法
004 射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法
031 具有稳定氧化硅层的样品制备方法
090 基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法
091 钛基/含硅羟基磷灰石生物涂层的制备方法
050 一种全硅集成流量传感器及其制造方法
072 含硅、铜、镁的铝合金表面化学镀镍方法
088 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
006 硅烷交联阻燃聚乙烯绝缘塑料
075 具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法
068 a01">
099 高电压碳化硅半导体器件的环境坚固钝化结构
008 一种铝合金结自对准背接触硅太阳电池的结构和制造工艺
057 制造及硅器件中的耐槽的方法
065 常温下构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法
097 一次焊接机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法
053 掺杂碳和硅的铜互连
027 一种硅酸盐清洁钝化工艺
080 一种电镀锌及锌铁合金硅酸盐清洁钝化液
102 一种用于晶硅太阳电池的复合钝化减反膜及其制备方法
015 纯化硅的方法
109 带有正面钝化n型扩散层的n型硅太阳能电池
070 使用超临界流体基组合物促进含硅粒子物质的去除
005 碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法
058 0.8米硅双极互补金属氧化物半导体集成电路制造工艺
073 含硅、铜、镁的铝合金钝化工艺的溶液配方
067 由生产有机卤代硅烷所产生的废料或碎屑的聚结和钝化方法
044 利用复合掩膜进行反应离子深刻蚀二氧化硅的方法
035 磁导率μ=60的铁硅铝磁粉芯的制造方法
028 互补金属氧化物硅图像传感器的制造方法
098 利用硅通孔接点的cmos图像传感器晶片层级封装及其制造方法
003 高深宽比硅深刻蚀方法
060 cmos硅双光电
076 高硼硅玻璃超薄葫芦形奶瓶及制作方法
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